IXCY01N90E

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
IXCY01N90E P1
IXCY01N90E P1
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IXYS ~ IXCY01N90E

Número de pieza
IXCY01N90E
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXCY01N90E
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 250mA (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 133pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 Ohm @ 50mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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