IS43R86400E-5BLI

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
IS43R86400E-5BLI P1
IS43R86400E-5BLI P1
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ~ IS43R86400E-5BLI

Número de pieza
IS43R86400E-5BLI
Fabricante
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza IS43R86400E-5BLI
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - DDR
Tamaño de la memoria 512Mb (64M x 8)
Frecuencia de reloj 200MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 700ps
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 60-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 60-TFBGA (13x8)

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