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| Número de pieza | SPB100N03S2L-03 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8180pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SPB10045E3 | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 45V 100A SOT227 | 0 | Detalles | |
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SPB100N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N03S2-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N03S203T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 4000 | Detalles | |
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SPB100N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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SPB100N03S2L03T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N04S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N06S2-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N08S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | 0 | Detalles |