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| Número de pieza | SIDC08D120F6X1SA3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 7A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.1V @ 7A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | Die |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | - | 0 | Detalles |
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SIDC08D120F6X1SA3 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | - | 10375 | Detalles |
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SIDC08D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER | 0 | Detalles | |
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SIDC08D120H6X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER | - | 10375 | Detalles |
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SIDC08D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | 0 | Detalles | |
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SIDC08D60C6Y | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | 0 | Detalles |