IRF7907TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
IRF7907TRPBF P1
IRF7907TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7907TRPBF

Número de pieza
IRF7907TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF7907TRPBF.pdf IRF7907TRPBF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza IRF7907TRPBF
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.1A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V
Potencia - Max 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO

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