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| Número de pieza | IRF7324D1TRPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.7V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de potencia (Máx) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRF730 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 | 0 | Detalles | |
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IRF7301PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7303PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | 1714 | Detalles | |
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IRF7303QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7303TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7304 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC | 29746 | Detalles | |
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IRF7304PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC | 2779 | Detalles | |
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IRF7304QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7304TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7304TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7306PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | 0 | Detalles |