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| Número de pieza | IPL60R299CPAUMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 96W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-VSON-4 |
| Paquete / caja | 4-PowerTSFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPL60R060CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 14137 | Detalles |
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IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | 0 | Detalles | |
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