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| Número de pieza | D711N60TXPSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 6000V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1070A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.9V @ 1200A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50mA @ 6000V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | DO-200AB, B-PUK |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 160°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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D711N60TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 6KV 1070A | - | 164 | Detalles |
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D711N65TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 6.5KV 1070A | - | 140 | Detalles |
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D711N68TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 6.8KV 1070A | - | 126 | Detalles |