BSM100GB170DN2HOSA1

MODULE IGBT 1700V
BSM100GB170DN2HOSA1 P1
BSM100GB170DN2HOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSM100GB170DN2HOSA1

Número de pieza
BSM100GB170DN2HOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MODULE IGBT 1700V
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza BSM100GB170DN2HOSA1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT -
Configuración Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1700V
Current - Collector (Ic) (Max) 145A
Potencia - Max 1000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo) 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 16nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module

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