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| Número de pieza | BAT1502LSE6433XTMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 4V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 110mA (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 410mV @ 10mA |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 1V |
| Capacitancia @ Vr, F | 350pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 2-XFDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TSSLP-2-3 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BAT1502ELE6327XTMA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 4V 110MA TSLP-2 | - | 0 | Detalles |
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BAT1502LRHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 4V 110MA TSLP-2 | - | 0 | Detalles |
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BAT1502LSE6433XTMA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 4V 110MA TSSLP-2 | - | 0 | Detalles |