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| Número de pieza | GP2M012A080NG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3370pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 416W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3PN |
| Paquete / caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GP2M002A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | 0 | Detalles | |
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GP2M002A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220F | 0 | Detalles | |
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GP2M002A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220 | 0 | Detalles | |
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GP2M002A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A | 0 | Detalles | |
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GP2M002A065CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | 0 | Detalles | |
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GP2M002A065FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F | 0 | Detalles | |
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GP2M002A065HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 | 0 | Detalles | |
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GP2M002A065PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK | 0 | Detalles | |
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GP2M004A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | 0 | Detalles | |
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GP2M004A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220F | 0 | Detalles | |
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GP2M004A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | 0 | Detalles | |
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GP2M004A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK | 3396 | Detalles |