MBRTA600200R

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER
MBRTA600200R P1
MBRTA600200R P1
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GeneSiC Semiconductor ~ MBRTA600200R

Número de pieza
MBRTA600200R
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descripción
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Arreglos
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Número de pieza MBRTA600200R
Estado de la pieza Active
Configuración de Diodo 1 Pair Common Anode
Tipo de diodo Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) 300A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 920mV @ 300A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Current - Reverse Leakage @ Vr 4mA @ 200V
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Three Tower
Paquete de dispositivo del proveedor Three Tower

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