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Fairchild/ON Semiconductor ~ NDT3055L

Número de pieza	NDT3055L
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	345pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-223-4
Paquete / caja	TO-261-4, TO-261AA

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
NDT014	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4	-	12000	Detalles
NDT014L	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223	-	0	Detalles
NDT01N60T1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223	-	0	Detalles
NDT02N40T1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223	-	6000	Detalles
NDT02N60ZT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4	-	0	Detalles
NDT02N60ZT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4	-	0	Detalles
NDT03N40ZT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4	-	0	Detalles
NDT03N40ZT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4	-	0	Detalles
NDT16PFJ-8KIT	Insignis Technology Corporation	IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA	-	22236	Detalles
NDT16PFJ-9MET	Insignis Technology Corporation	IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA	-	23895	Detalles
NDT18PFH-8KIT	Insignis Technology Corporation	IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA	-	22236	Detalles
NDT18PFH-9MET	Insignis Technology Corporation	IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA	-	23895	Detalles