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| Número de pieza | FDN5618P |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.25A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.8nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 1.25A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SuperSOT-3 |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDN028N20 | Fairchild/ON Semiconductor | PT8 20/12V NCH POWERTRENCH MOSFE | - | 0 | Detalles |
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FDN302P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 | - | 0 | Detalles |
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FDN304P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 | - | 0 | Detalles |
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FDN304PZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 | - | 0 | Detalles |
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FDN306P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 | - | 33000 | Detalles |
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FDN308P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 | - | 3000 | Detalles |
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FDN327N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 | - | 0 | Detalles |
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FDN335N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 | - | 60000 | Detalles |
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FDN336P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 | - | 3000 | Detalles |
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FDN336P-NL | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 | - | 0 | Detalles |
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FDN337N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 | - | 0 | Detalles |
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FDN337N-F169 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V SSOT3 | - | 5873 | Detalles |