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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS86250

Número de pieza	FDMS86250
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.7A (Ta), 20A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2330pF @ 75V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 6.7A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6), Power56
Paquete / caja	8-PowerTDFN

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
FDM100-0045SP	IXYS	MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5		0	Detalles
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FDM21-05QC	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5		0	Detalles
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FDM3300NZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET		0	Detalles
FDM3622	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP	-	3000	Detalles
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FDMA008P20LZ	Fairchild/ON Semiconductor	PT8PZ 20/8V VIS WITH 2.05X2.05 P	-	0	Detalles
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FDMA037N08LC	ON Semiconductor	FET 80V 3.7 MOHM MLP33	-	101365	Detalles