FDMD8280

MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
FDMD8280 P1
FDMD8280 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMD8280

Número de pieza
FDMD8280
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza FDMD8280
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 40V
Potencia - Max 1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 12-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor 12-Power3.3x5

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