FDC6312P

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
FDC6312P P1
FDC6312P P2
FDC6312P P3
FDC6312P P1
FDC6312P P2
FDC6312P P3
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC6312P

Número de pieza
FDC6312P
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza FDC6312P
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 467pF @ 10V
Potencia - Max 700mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor SuperSOT™-6

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