DMT6018LDR-13

MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
DMT6018LDR-13 P1
DMT6018LDR-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMT6018LDR-13

Número de pieza
DMT6018LDR-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza DMT6018LDR-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 869pF @ 30V
Potencia - Max 1.9W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor V-DFN3030-8

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