DMN63D1LV-13

MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
DMN63D1LV-13 P1
DMN63D1LV-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN63D1LV-13

Número de pieza
DMN63D1LV-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza DMN63D1LV-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.392nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Potencia - Max 940mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-563

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