NE52418-T1-A

IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
NE52418-T1-A P1
NE52418-T1-A P1
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CEL ~ NE52418-T1-A

Número de pieza
NE52418-T1-A
Fabricante
CEL
Descripción
IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NE52418-T1-A.pdf NE52418-T1-A PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
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Número de pieza NE52418-T1-A
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 5V
Frecuencia - Transición -
Figura de ruido (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Ganancia 14dB ~ 16dB
Potencia - Max 150mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 3mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 40mA
Temperatura de funcionamiento 125°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-82A, SOT-343
Paquete de dispositivo del proveedor 4-Super Mini Mold

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