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| Número de pieza | BLF8G27LS-100J |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Frecuencia | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| Ganancia | 17dB |
| Voltaje - Prueba | 28V |
| Valoración actual | - |
| Figura de ruido | - |
| Actual - Prueba | 900mA |
| Salida de potencia | 25W |
| Voltaje - Clasificación | 65V |
| Paquete / caja | SOT-502B |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT502B |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BLF8G09LS-270GWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C | 0 | Detalles | |
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BLF8G09LS-270GWQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C | 0 | Detalles | |
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BLF8G09LS-270WJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B | 0 | Detalles | |
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BLF8G09LS-270WU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B | 0 | Detalles | |
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BLF8G09LS-400PGWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | 100 | Detalles | |
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BLF8G09LS-400PGWQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | 60 | Detalles | |
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BLF8G09LS-400PWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | 100 | Detalles | |
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BLF8G09LS-400PWU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | 0 | Detalles | |
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BLF8G10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | 0 | Detalles | |
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BLF8G10L-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | 0 | Detalles | |
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BLF8G10LS-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | 0 | Detalles | |
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BLF8G10LS-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | 0 | Detalles |