AOT8N80L_001

MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
AOT8N80L_001 P1
AOT8N80L_001 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOT8N80L_001

Número de pieza
AOT8N80L_001
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- AOT8N80L_001 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza AOT8N80L_001
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63 Ohm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3

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