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| Número de pieza | AOT2910L |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Ta), 30A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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AOT10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO220 | 1722 | Detalles | |
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AOT10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 1000 | Detalles | |
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AOT10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 1000 | Detalles | |
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AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 505 | Detalles | |
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AOT10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 0 | Detalles | |
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AOT10N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Detalles | |
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AOT10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | 0 | Detalles | |
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AOT10T60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Detalles | |
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AOT10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 0 | Detalles | |
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AOT10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Detalles | |
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AOT1100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8A TO220 | 0 | Detalles | |
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AOT11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | 0 | Detalles |