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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SM8S11AHE3_A/I |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Art | Zener |
| Unidirektionale Kanäle | 1 |
| Bidirektionale Kanäle | - |
| Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 11V |
| Spannung - Ausfall (Min.) | 12.2V |
| Spannung - Spannung (Max) @ Ipp | 18.2V |
| Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) | 363A |
| Leistung - Spitzenpuls | 6600W (6.6kW) |
| Stromleitungsschutz | No |
| Anwendungen | Automotive |
| Kapazität @ Frequenz | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-218AB |
| Lieferantengerätepaket | DO-218AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SM8S10A-E3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Einzelheiten | |
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SM8S10AHE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Einzelheiten | |
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SM8S10AHE3/2E | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB | 0 | Einzelheiten | |
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SM8S10AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 17VC 388A DO218AB | - | 0 | Einzelheiten |
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SM8S10ATHE3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 17VC | - | 0 | Einzelheiten |
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SM8S10HE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB | - | 0 | Einzelheiten |
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SM8S10HE3/2E | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB | - | 0 | Einzelheiten |
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SM8S11-E3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB | 0 | Einzelheiten | |
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SM8S11AHE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO218AB | 0 | Einzelheiten | |
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SM8S11AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 18.2VC 363A DO218AB | - | 0 | Einzelheiten |
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SM8S11ATHE3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 18.2VC | - | 0 | Einzelheiten |
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SM8S11HE3/2D | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB | - | 0 | Einzelheiten |