SM8S10HE3/2E

TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB
SM8S10HE3/2E P1
SM8S10HE3/2E P2
SM8S10HE3/2E P1
SM8S10HE3/2E P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ SM8S10HE3/2E

Artikelnummer
SM8S10HE3/2E
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- SM8S10HE3/2E PDF online browsing
Familie
TVS - Dioden
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Produktparameter

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Artikelnummer SM8S10HE3/2E
Teilstatus Obsolete
Art Zener
Unidirektionale Kanäle 1
Bidirektionale Kanäle -
Spannung - Reverse Standoff (Typ) 10V
Spannung - Ausfall (Min.) 11.1V
Spannung - Spannung (Max) @ Ipp 18.8V
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) 351A
Leistung - Spitzenpuls 6600W (6.6kW)
Stromleitungsschutz No
Anwendungen Automotive
Kapazität @ Frequenz -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-218AB
Lieferantengerätepaket DO-218AB

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