TK12A60U(Q,M)

MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
TK12A60U(Q,M) P1
TK12A60U(Q,M) P2
TK12A60U(Q,M) P3
TK12A60U(Q,M) P4
TK12A60U(Q,M) P1
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TK12A60U(Q,M) P4
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK12A60U(Q,M)

Artikelnummer
TK12A60U(Q,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer TK12A60U(Q,M)
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 35W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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