TK12A50E,S5X

MOSFET N-CH 500V TO220SIS
TK12A50E,S5X P1
TK12A50E,S5X P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK12A50E,S5X

Artikelnummer
TK12A50E,S5X
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V TO220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- TK12A50E,S5X PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer TK12A50E,S5X
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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