2SK3565(Q,M)

MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
2SK3565(Q,M) P1
2SK3565(Q,M) P2
2SK3565(Q,M) P3
2SK3565(Q,M) P4
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2SK3565(Q,M) P4
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SK3565(Q,M)

Artikelnummer
2SK3565(Q,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
2SK3565(Q,M).pdf 2SK3565(Q,M) PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer 2SK3565(Q,M)
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 900V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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