DTD123TSTP

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
DTD123TSTP P1
DTD123TSTP P1
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Rohm Semiconductor ~ DTD123TSTP

Artikelnummer
DTD123TSTP
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DTD123TSTP.pdf DTD123TSTP PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer DTD123TSTP
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall SC-72 Formed Leads
Lieferantengerätepaket SPT

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