DTD114ECHZGT116

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3
DTD114ECHZGT116 P1
DTD114ECHZGT116 P1
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Rohm Semiconductor ~ DTD114ECHZGT116

Artikelnummer
DTD114ECHZGT116
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- DTD114ECHZGT116 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Artikelnummer DTD114ECHZGT116
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased + Diode
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SST3

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