BR25G1MFJ-3GE2

IC EEPROM 1MBIT 10MHZ 8SOPJ
BR25G1MFJ-3GE2 P1
BR25G1MFJ-3GE2 P1
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Rohm Semiconductor ~ BR25G1MFJ-3GE2

Artikelnummer
BR25G1MFJ-3GE2
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
IC EEPROM 1MBIT 10MHZ 8SOPJ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Artikelnummer BR25G1MFJ-3GE2
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM
Speichergröße 1Mb (128K x 8)
Taktfrequenz 10MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 5ms
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle SPI
Spannungsversorgung 1.8 V ~ 5.5 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP-J

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