BR25G128FVT-3GE2

IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8TSSOP
BR25G128FVT-3GE2 P1
BR25G128FVT-3GE2 P1
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Rohm Semiconductor ~ BR25G128FVT-3GE2

Artikelnummer
BR25G128FVT-3GE2
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer BR25G128FVT-3GE2
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM
Speichergröße 128Kb (16K x 8)
Taktfrequenz 20MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 5ms
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle SPI
Spannungsversorgung 1.6 V ~ 5.5 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP-B

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