A2T27S007NT1

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T27S007NT1 P1
A2T27S007NT1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2T27S007NT1

Artikelnummer
A2T27S007NT1
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- A2T27S007NT1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2T27S007NT1
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 728MHz ~ 3.6GHz
Gewinnen -
Spannung - Test -
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test -
Leistung 28.8dBm
Spannung - Bewertet 28V
Paket / Fall 16-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 16-DFN (4x6)

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