A2T18H450W19SR6

IC TRANS RF LDMOS
A2T18H450W19SR6 P1
A2T18H450W19SR6 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2T18H450W19SR6

Artikelnummer
A2T18H450W19SR6
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
IC TRANS RF LDMOS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
A2T18H450W19SR6.pdf A2T18H450W19SR6 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2T18H450W19SR6
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinnen 16.5dB
Spannung - Test -
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test -
Leistung 89W
Spannung - Bewertet 30V
Paket / Fall NI-1230S-8 Variant, Flat Leads
Lieferantengerätepaket NI-1230S-8

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