A2T18S160W31GSR3

IC TRANS RF LDMOS
A2T18S160W31GSR3 P1
A2T18S160W31GSR3 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2T18S160W31GSR3

Artikelnummer
A2T18S160W31GSR3
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
IC TRANS RF LDMOS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
A2T18S160W31GSR3.pdf A2T18S160W31GSR3 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2T18S160W31GSR3
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 1.88GHz
Gewinnen 19.9dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 1A
Leistung 32W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall NI-780GS-2L2LA
Lieferantengerätepaket NI-780GS-2L2LA

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