APTMC120HR11CT3AG

POWER MODULE - SIC MOSFET
APTMC120HR11CT3AG P1
APTMC120HR11CT3AG P1
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Microsemi Corporation ~ APTMC120HR11CT3AG

Artikelnummer
APTMC120HR11CT3AG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER MODULE - SIC MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer APTMC120HR11CT3AG
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Silicon Carbide (SiC)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 1000V
Leistung max 125W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket SP3

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