APTMC120AM08CD3AG

MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
APTMC120AM08CD3AG P1
APTMC120AM08CD3AG P2
APTMC120AM08CD3AG P1
APTMC120AM08CD3AG P2
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Microsemi Corporation ~ APTMC120AM08CD3AG

Artikelnummer
APTMC120AM08CD3AG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer APTMC120AM08CD3AG
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 250A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10mA (Typ)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 490nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9500pF @ 1000V
Leistung max 1100W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D-3 Module
Lieferantengerätepaket D3

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