Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IXTP02N50D |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 25µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | Depletion Mode |
| Verlustleistung (Max) | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | - | 2685 | Einzelheiten |
 |
IXTP02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IXTP02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
 |
IXTP05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
 |
IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IXTP06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
 |
IXTP08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | - | 396 | Einzelheiten |
 |
IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IXTP08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IXTP08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB | 229 | Einzelheiten | |
 |
IXTP100N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 | - | 836 | Einzelheiten |