IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
IXTP01N100D P1
IXTP01N100D P1
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IXYS ~ IXTP01N100D

Artikelnummer
IXTP01N100D
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXTP01N100D
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100mA (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Depletion Mode
Verlustleistung (Max) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 110 Ohm @ 50mA, 0V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3

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