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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IXFM67N10 |
|---|---|
| Teilstatus | Last Time Buy |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 33.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-204AE |
| Paket / Fall | TO-204AE |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IXF611P1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP | - | 0 | Einzelheiten |
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IXF611S1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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IXF611S1T/R | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | - | 142 | Einzelheiten |
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IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IXFA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IXFA12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 27614 | Einzelheiten |
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IXFA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IXFA130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | - | 0 | Einzelheiten |
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IXFA130N15X3 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 12123 | Einzelheiten |