IXFA10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
IXFA10N80P P1
IXFA10N80P P1
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IXYS ~ IXFA10N80P

Artikelnummer
IXFA10N80P
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFA10N80P
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (IXFA)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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