IXFA4N100Q

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
IXFA4N100Q P1
IXFA4N100Q P1
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IXYS ~ IXFA4N100Q

Artikelnummer
IXFA4N100Q
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFA4N100Q.pdf IXFA4N100Q PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFA4N100Q
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 150W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (IXFA)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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