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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRG7CH75K10EF-R |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | - |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | - |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.53V @ 15V, 20A |
| Leistung max | - |
| Energie wechseln | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 500nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 120ns/445ns |
| Testbedingung | 600V, 100A, 5 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRG7CH11K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Einzelheiten |
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IRG7CH20K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Einzelheiten |
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IRG7CH23K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Einzelheiten |
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IRG7CH28UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Einzelheiten |
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IRG7CH28UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Einzelheiten | |
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IRG7CH30K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Einzelheiten | |
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IRG7CH35UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Einzelheiten |
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IRG7CH35UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Einzelheiten | |
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IRG7CH37K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Einzelheiten | |
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IRG7CH42UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Einzelheiten |
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IRG7CH42UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Einzelheiten | |
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IRG7CH44K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Einzelheiten |