Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRG7CH37K10EF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 15A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | - |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 15A |
| Leistung max | - |
| Energie wechseln | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 80nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 28ns/122ns |
| Testbedingung | 600V, 15A, 10 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRG7CH11K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Einzelheiten |
|
IRG7CH20K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Einzelheiten |
|
IRG7CH23K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Einzelheiten |
|
IRG7CH28UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Einzelheiten |
|
IRG7CH28UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Einzelheiten | |
|
IRG7CH30K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Einzelheiten | |
|
IRG7CH35UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Einzelheiten |
|
IRG7CH35UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Einzelheiten | |
|
IRG7CH37K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Einzelheiten | |
|
IRG7CH42UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Einzelheiten |
|
IRG7CH42UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Einzelheiten | |
|
IRG7CH44K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Einzelheiten |