IRF3205SPBF

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
IRF3205SPBF P1
IRF3205SPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF3205SPBF

Artikelnummer
IRF3205SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF3205SPBF.pdf IRF3205SPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF3205SPBF
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 146nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3247pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 200W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 62A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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