IRF3000PBF

MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
IRF3000PBF P1
IRF3000PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF3000PBF

Artikelnummer
IRF3000PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF3000PBF.pdf IRF3000PBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF3000PBF
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 300V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 960mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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