BSM75GD60DLCBOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM75GD60DLCBOSA1 P1
BSM75GD60DLCBOSA1 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ BSM75GD60DLCBOSA1

Artikelnummer
BSM75GD60DLCBOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BSM75GD60DLCBOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer BSM75GD60DLCBOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 95A
Leistung max 330W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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