BSM75GD120DN2BOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
BSM75GD120DN2BOSA1 P1
BSM75GD120DN2BOSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ BSM75GD120DN2BOSA1

Artikelnummer
BSM75GD120DN2BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BSM75GD120DN2BOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer BSM75GD120DN2BOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 103A
Leistung max 520W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1.5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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