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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | AIHD04N60RATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 8A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 12A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Leistung max | 75W |
| Energie wechseln | 90µJ (on), 150µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 27nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 14ns/146ns |
| Testbedingung | 400V, 4A, 43 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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AIHD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 0 | Einzelheiten | |
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AIHD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 0 | Einzelheiten | |
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AIHD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 0 | Einzelheiten | |
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AIHD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 0 | Einzelheiten | |
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AIHD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 0 | Einzelheiten |