AIHD03N60RFATMA1

IC DISCRETE 600V TO252-3
AIHD03N60RFATMA1 P1
AIHD03N60RFATMA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ AIHD03N60RFATMA1

Artikelnummer
AIHD03N60RFATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IC DISCRETE 600V TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
AIHD03N60RFATMA1.pdf AIHD03N60RFATMA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer AIHD03N60RFATMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 5A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 7.5A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 2.5A
Leistung max 53.6W
Energie wechseln 50µJ (on), 40µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 17.1nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 10ns/128ns
Testbedingung 400V, 2.5A, 68 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3

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